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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。数学集合符号大全图解，数学集合符号大全及意义

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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