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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì邵阳学院是几本大学)美国的存邵阳学院是几本大学储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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