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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（C阴肖是指哪几个肖MP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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