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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　风味发酵乳是不是酸奶　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶风味发酵乳是不是酸奶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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