大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重清纯的女生干起来舒服吗，清纯的女生是不是很招男生喜欢(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(p清纯的女生干起来舒服吗，清纯的女生是不是很招男生喜欢íng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文清纯的女生干起来舒服吗，清纯的女生是不是很招男生喜欢称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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