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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jì印第安人还存在吗，印第安人现在还有没有n)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法印第安人还存在吗，印第安人现在还有没有(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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