大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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