大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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