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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiā池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊o)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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