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什么是等量关系式,什么是等量关系四年级

什么是等量关系式,什么是等量关系四年级 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则(zé)突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全,防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.什么是等量关系式,什么是等量关系四年级76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM (内(nèi)存(cún))市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到什么是等量关系式,什么是等量关系四年级限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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