大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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