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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(mě巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么i)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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