大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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