大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，肠粉用什么粉做最好，肠粉一般用什么粉做的我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士肠粉用什么粉做最好，肠粉一般用什么粉做的、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长肠粉用什么粉做最好，肠粉一般用什么粉做的存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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