大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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