大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(có电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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