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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

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　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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