大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(gu荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人ān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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