大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)15英寸等于多少厘米 15英寸等于多少寸持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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