大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题李子园牛奶比AD钙奶有营养吗，李子园牛奶和ad钙奶隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审李子园牛奶比AD钙奶有营养吗，李子园牛奶和ad钙奶#ff0000; line-height: 24px;'>李子园牛奶比AD钙奶有营养吗，李子园牛奶和ad钙奶查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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